近日，美国商务部与全球领先的半导体制造商台积电达成不具约束力的初步备忘录，旨在支持后者在亚利桑那州凤凰城建设第三座晶圆厂。根据美国《芯片法案》，美国政府将向台积电提供高达66亿美元的直接资金补贴，以推动其在美国的半导体产业投资。
台积电此次在美国的投资计划总金额将超过650亿美元，预计在未来十年内将为亚利桑那州创造6000个直接工作岗位和数以万计的间接岗位，同时还将带动超过20000个单次建筑业相关岗位。美国政府也计划利用《芯片法案》资金，投入5000万美元用于培训和发展当地建筑和半导体行业的劳动力，以支持这一重要项目的实施。
据悉，台积电在美国的首座晶圆厂将采用4nm FinFET工艺，预计于2025年上半年开始量产。第二座晶圆厂则计划在3nm工艺的基础上，引入更为先进的2nm GAA工艺，计划于2028年投产。而此次新建设的第三座晶圆厂，将根据市场及客户需求，提供2nm或更先进的制程技术，进一步巩固台积电在全球半导体市场的领先地位。
此外，美国政府还计划为台积电提供最高可达50亿美元的贷款，以支持其在美国的晶圆厂建设。台积电方面也计划向美国财政部申请符合条件的资本支出25%的投资税收抵免，以降低其在美国的投资成本。
台积电此举不仅标志着其在美国业务的进一步扩张，也体现了美国政府对半导体产业的重视和支持。此前，英特尔等知名企业也获得了类似的资金扶持，共同推动美国在全球半导体市场的竞争力。
业界分析人士认为，随着全球半导体市场的快速发展和竞争的加剧，台积电在美国设立晶圆厂将进一步巩固其在全球半导体产业链中的地位，同时也将促进美国半导体产业的快速发展，实现双赢。
台积电此次在美国的投资计划，无疑将为全球半导体市场带来新的机遇和挑战。未来，随着技术的不断进步和市场的不断扩大，半导体产业将迎来更加广阔的发展前景。
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