据外媒报道，台积电明年的3nm NTO芯片设计定案数量将大幅增长，而特斯拉也将成为N3P客户，预计将以此生产次世代FSD智驾芯片。
台积电的N3P制程计划于2024年投产，与N3E相比，其性能提升5%，功耗降低5%~10%，芯片密度提高1.04倍。台积电表示，N3P的PPA成本和技术成熟度均优于Intel 18A制程。
特斯拉已多次在台积电下单，例如7nm制程的Dojo D1芯片和5nm制程的HW 4.0芯片。随着第五代FSD芯片归于台积电N3P名单，特斯拉有望成为台积电的第七大客户，为其营收增长带来新动力。
特斯拉的FSD（Full Self-Driving）智驾技术是业内领先的自动驾驶技术之一，而此次与台积电的合作将进一步提升其技术水平。3nm芯片的高性能和低功耗将为特斯拉的FSD系统提供更强大的计算能力和更低的能耗，有助于提升特斯拉电动汽车的续航里程和性能。
此次合作也反映了台积电在半导体制造领域的领先地位。作为全球领先的半导体代工厂商，台积电将继续致力于研发和生产高性能、低功耗的芯片，以满足不断增长的市场需求。
随着电动汽车和自动驾驶技术的快速发展，半导体制造将成为未来汽车产业的核心竞争要素之一。台积电与特斯拉的合作将进一步推动这一趋势的发展，并为全球汽车产业的创新和升级提供强大的支持。
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