据报道，苹果Apple正在考虑在iPhone 16系列中升级其高容量闪存类型，从目前使用的TLC NAND闪存存储转向QLC NAND闪存存储。这一变化可能会降低生产成本，但可能会对性能产生一定影响。
据了解，QLC NAND闪存具有更高的存储密度，可以在每个内存单元中存储四位数据，而不是三位。这使得QLC NAND闪存在使用相同数量的单元时可以存储比TLC更多的容量，从而降低了生产成本。然而，由于每个单元多包含一位，因此QLC的写入耐久性可能会降低。
对于消费者而言，这一变化可能会对1TB或更高容量的iPhone 16型号的数据写入速度产生影响。然而，对于大多数用户来说，这种差异可能不会太明显。
目前尚不清楚苹果是否会最终实施这一计划。如果实施，预计将在未来的iPhone型号中看到这一变化。
总体而言，这一变化可能会对苹果Apple的存储成本产生积极影响，但可能会对性能产生一定影响。对于消费者来说，选择使用哪种存储类型将需要在成本和性能之间做出权衡。
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