据外媒报道，根据最新iPhone 16消息显示，苹果或许弃用TLC，将采用速度更慢的QLC闪存，如果消息确认，那么苹果这招真心让人摸不着头脑。
据供应链最新消息，苹果可能会改变存储容量，不再使用三层单元（TLC）NAND 闪存，而是在存储容量达到或超过1TB的机型上使用四层单元（QLC）NAND闪存。
与TLC相比，QLC的优势在于每个存储单元可以存储四位数据，在使用相同数量的单元时比TLC储存更多的数据，或者使用更少的单元储存更多的数据，而这可以降低生产成本。
此外，QLC闪存被认为不如TLC闪存可靠，写入数据的耐久性会降低，因为每个单元写入的次数更多，因为每个单元多包含一个位。
QLC NAND闪存可以存储16种不同的电荷电平，而TLC仅能存储8种电荷电平。读取数据时，由于电荷量增加，裕量减少，这就有可能因噪声增加而导致位错误增加。
如果苹果执意执行这项计划，或许未来一些iPhone 16的用户会遇到数据写入速度低于低容量的情况，但目前消息尚未确认，让我们期待更多有关iPhone 16消息，一起来看看吧。
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