据报道，三星将在即将到来的2024年IEEE国际固态电路峰会上推出多款尖端内存产品。其中，一款超高速32Gb DDR5内存芯片备受瞩目。
这款大容量32Gb DDR5DRAM采用12纳米(nm)级工艺技术开发，封装尺寸不变的情况下容量翻倍，相较于16Gb DDR5DRAM提供了更高的性能和更大的存储空间。
三星电子内存产品和技术执行副总裁SangJoonHwang表示，这款12nm级32GbDRAM的推出，将为人工智能和大数据时代提供理想的高容量DRAM解决方案。他强调，通过差异化的工艺和设计技术开发DRAM解决方案，三星将继续突破内存技术的极限。
与之前使用16GbDRAM制造的DDR5128GBDRAM模块相比，新的32GbDRAM不需要使用硅通孔(TSV)工艺，使得在不降低性能的情况下降低功耗约10%。这对于正在应对人工智能不断增长的能源需求的数据中心来说，是一个重要的进步。
此外，三星最新的DDR5技术还支持在单通道配置下以DDR5-8000速度创建32GB和48GBDIMM，以及在双通道配置下的64GB和96GBDIMM。这进一步扩大了其在高性能内存市场的竞争优势。
总的来说，三星的这款32GbDDR5内存芯片不仅提升了存储容量和性能，还在降低功耗方面取得了重要突破。这表明三星正致力于满足人工智能和大数据时代对高容量DRAM日益增长的需求，并持续推动内存技术的发展。
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