三星Samsung展示LLW DRAM 三星Galaxy S24系列有望率先装备

三星公司Samsung今天发布公告,针对设备端本地运行 AI 的需求,特别研发了 LLW(Low Latency Wide IO)DRAM,其性能优于现有的 LPDDR 解决方案。

三星Samsung展示LLW DRAM 三星Galaxy S24系列有望率先装备

三星公司Samsung今天发布公告,针对设备端本地运行 AI 的需求,特别研发了 LLW(Low Latency Wide IO)DRAM,其性能优于现有的 LPDDR 解决方案。

LLW DRAM 通过垂直集成存储器和逻辑电路,从而实现更高的效率和延迟。

三星半导体今天通过官方 X 平台账号,发布了一段关于 LLW DRAM 的介绍视频,该 DRAM 刻适用于智能手机、笔记本电脑和 VR 头显。

三星在今年年初的 Tech Day 上首次展示了 LLW DRAM,然后在 Memory Tech Day 上再次展示了其 LPDDR5X CAMM2 解决方案。

除此之外,该视频还展示了一款集成了 LLW DRAM 的手机,因此,未来的 Galaxy 设备似乎可能会采用相同的解决方案,从而提高性能。

广告中展示的手机确实与当前一代三星设备非常相似,应该是即将推出的 Galaxy S24 系列。

三星也不是第一家实施 LLW 的公司,苹果的 Vision Pro 头显使用扇出晶圆级封装(FOWLP),将 R1 芯片与 LLW DRAM 封装在一起。

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