三星在 2023 年内存技术日活动中推出了名为 Shinebolt 的 HBM3E 内存。该公司的 HBM3E 内存是当前 HBM3 内存的升级版，为内存带宽和速度提供了新的基准。它旨在与用于服务器和高端计算的高端处理器和 GPU 一起使用。该公司还公布了有关GDDR7 VRAM、LPDDR5X CAMM 内存和可拆卸 AutoSSD 开发的更多信息。
三星的 HBM3E 内存据称比美光和 SK 海力士的类似芯片更快
这家韩国公司的Shinebolt HBM3E DRAM 内存旨在用于数据中心的人工智能模型训练和其他几种高性能应用。它提供每个引脚 9.8Gbps 的数据传输速度，这意味着它可以达到高达 1.2TBps 的传输速率。三星优化了其 NCF（非导电膜）技术，消除了芯片层之间的间隙，从而提高了导热性。
三星正在使用其第四代基于 EUV 的10 纳米级 (14 纳米) 节点制造其 24GBit HBM 内存芯片。利用其 8Hi 和 12Hi 堆栈，该公司可以生产 24GB 和 36GB 容量，比 HBM3 内存容量高 50%。该公司宣传的最低带宽为 8Gbps/pin，提供单个 HBM3E 堆栈，最低带宽为 1TB/秒，最大带宽为 1.225TB/秒，高于其竞争对手的 Micron 和 SK Hynix。
该公司的HBM3E内存目前正处于样品阶段，正在发送给客户进行测试，这些内存芯片将于2024年某个时候开始量产。
三星公布有关 HBM4 内存开发的更多细节
三星还透露，将为 HBM4 内存采用更先进的芯片制造和封装技术。虽然 HBM4 规范尚未获得批准，但据透露，业界正在寻求使用更宽的（2,048 位）内存接口。该公司希望使用 FinFET 晶体管而不是平面晶体管来降低功耗。
这家韩国存储芯片制造商希望在封装方面从微凸块接合转向无凸块（直接铜对铜）接合。即使在逻辑芯片制造领域，这项技术也相对较新，因此 HBM4 可能成本太高。
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