全球存储芯片巨头SK海力士近日宣布重大投资调整。据外媒Thelec最新报道，该公司已将2024年资本支出计划上调30%，从原定的22万亿韩元（约合1122.66亿元人民币）大幅增加至29万亿韩元（约合1479.87亿元人民币），以应对人工智能热潮带来的HBM3E芯片需求井喷。
知情人士透露，SK海力士已紧急要求设备供应商将生产设备交付时间提前两个月，所有设备须在10月前到位韩国忠州M15X工厂。这项闪电决策直接指向英伟达等核心客户的订单压力，目前该公司的HBM芯片产线已处于满负荷运转状态。
市场研究机构Counterpoint Research数据显示，今年第一季度SK海力士以36%的市场份额首次超越三星（34%），登顶DRAM芯片市场榜首。这主要得益于其HBM3产品在AI服务器领域的强势表现，目前该公司的HBM芯片产能已被客户预订一空。
在下一代HBM4芯片的研发竞赛中，SK海力士已率先向客户提供12层堆叠的HBM4样品。面对竞争对手，三星虽然宣布将在2025年量产HBM4芯片，但其10nm级1c DRAM制程技术尚未完全成熟，量产计划面临技术挑战。
行业观察人士指出，存储芯片三巨头围绕HBM技术的竞争已进入白热化阶段，SK海力士此次资本支出加码，或将进一步巩固其在AI芯片供应链中的关键地位。随着全球AI算力需求持续爆发，高端存储芯片市场格局正在发生深刻变化。
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