三星对有关英伟达测试其高带宽存储芯片(HBM)的媒体报道再度做出了回应,表示测试正在“按计划”进行。
三星的一名发言人通过电子邮件表示:“三星电子正在通过与各客户的密切合作优化我们的产品,并按计划进行测试。”
上周有报道称,英伟达已批准三星的8层HBM3E芯片用于其人工智能处理器。但随后三星回应称,这和事实相距甚远,“我们不能证实与我们客户相关的传闻,但这个报道不是真的”。
HBM是一种动态随机存取存储器(DRAM)标准,通过垂直堆叠芯片以节省空间和降低能耗,是人工智能GPU的关键组件,有助于处理复杂应用程序产生的大量数据。 HBM3是目前新一代人工智能GPU中最常用的第四代HBM技术标准,HBM3E芯片则使用第五代HBM标准。全球HBM芯片市场由SK海力士、三星主导,其次是美国芯片制造商美光科技(MU.US)。
上个月,英伟达首席执行官黄仁勋表示,该公司正在评估美光和三星的HBM芯片,以确定它们是否能与SK海力士竞争。
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