三星否认HBM内存芯片未通过英伟达测试

5月27日消息,关于三星电子最新的高带宽内存(HBM)芯片未能通过英伟达测试的传闻引发了行业的热议。一些“知情人士”声称,三星的芯片面临发热和功耗等问题。

5月27日消息,关于三星电子最新的高带宽内存(HBM)芯片未能通过英伟达测试的传闻引发了行业的热议。一些“知情人士”声称,三星的芯片面临发热和功耗等问题。

三星否认HBM内存芯片未通过英伟达测试

然而,韩国媒体Business Korea报道称,三星电子已经发布声明否认了这些报道。他们声称正在与多家全球合作伙伴一起进行顺利的HBM芯片测试,并与其他商业伙伴合作,以确保产品质量和可靠性。

三星最近开始批量生产第五代HBM芯片,即24GB(8-Hi)/ 36GB(12-Hi)的HBM3E产品。与竞争对手SK海力士和美光不同的是,三星在这些HBM3E产品上仍然采用1a nm颗粒而非1b nm制程DRAM裸片,这导致其在能耗方面存在一定劣势。加上此次负面报道的影响,一些分析师开始怀疑三星是否有能力迅速夺回来自SK海力士的市场份额。

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