英伟达NVIDIA RTX 50系列显卡:3nm 工艺、GDDR7 显存、PCIe 5.0

根据可靠爆料人 最新消息,英伟达 NVIDIA RTX 50 系列显卡所采用的 GB200 系列 GPU 将采用台积电 3nm 工艺。

英伟达NVIDIA RTX 50系列显卡:3nm 工艺、GDDR7 显存、PCIe 5.0

英伟达当前的 NVIDIA RTX 40 显卡采用“TSMC 4N”工艺,没有说明具体是几 nm 工艺,有报道称是定制的 5nm 工艺。英伟达官方表示,在 TSMC 4N 定制工艺技术加持下,NVIDIA RTX 40 系列 GPU 实现了高达 2 倍的性能功耗比飞跃。

相比于 5nm 工艺,3nm 工艺在晶体管密度、功耗、性能等方面都有明显的提升。根据台积电的官方数据,3nm 工艺的晶体管密度是 5nm 工艺的 1.8 倍,功耗可降低 30%,性能可提升 10%。

除了新工艺外,消息称 NVIDIA RTX 50 系列显卡将采用 GDDR7 显存,最高支持 384bit 位宽,接口包括 HDMI 和 DP 2.1,支持通过 PCIe 5.0 连接,供电采用改进版 12V-2×6 16pin 接口,发布时间可能是 2024 年底或 2025 年。

NVIDIA RTX 50 系列显卡采用 3nm 工艺是意料之中的事情。随着摩尔定律的逐渐放缓,晶体管工艺的进步是提升芯片性能和功耗效率的重要途径。

GDDR7 显存是新一代显存标准,相比于 GDDR6 显存,GDDR7 显存的带宽和效率都有明显的提升。384bit 位宽的显存可以为 NVIDIA RTX 50 系列显卡提供充足的带宽,满足其强大的图形处理需求。

PCIe 5.0 接口是新一代 PCIe 标准,相比于 PCIe 4.0 接口,PCIe 5.0 接口的带宽是 PCIe 4.0 接口的两倍。PCIe 5.0 接口可以为 NVIDIA RTX 50 系列显卡提供更快的传输速度,满足其高带宽的需求。

12V-2×6 16pin 供电接口是新一代显卡供电接口,相比于 12V-8pin 供电接口,12V-2×6 16pin 供电接口可以提供更高的供电功率。NVIDIA RTX 50 系列显卡的功耗可能将超过 400W,因此需要更高功率的供电接口。

NVIDIA RTX 50 系列显卡的发布时间尚未确定,但预计将在 2024 年底或 2025 年推出。NVIDIA RTX 50 系列显卡将采用全新的 3nm 工艺、GDDR7 显存、PCIe 5.0 接口等技术,性能和效率将有大幅提升。

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